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EEPROM
基于相變材料的2兆位電擦除可編程只讀相變存儲器（EEPROM）
產品概況和性能參數介紹：---采用先進的40納米CMOS工藝制程---芯片尺寸1.96 mm2---數據存儲前無需進行擦除動作---低功耗，工作電壓1.8V-3.6V，靜態工作電流1uA---SPI接口，最大工作頻率30MHz---單頁（256字節）寫入時間小于2.5ms 產品可靠性參數介紹：---產品耐擦寫次數大于10^7次---強大的抗輻射性能---25℃條件下數據保存時間可達100年---工作溫度-40℃—+85℃---2kV ESD防靜電保護能力
產品概況和性能參數介紹：
---采用先進的40納米CMOS工藝制程
---芯片尺寸1.96 mm2
---數據存儲前無需進行擦除動作
---低功耗，工作電壓1.8V-3.6V，靜態工作電流1uA
---SPI接口，最大工作頻率30MHz
---單頁（256字節）寫入時間小于2.5ms
產品可靠性參數介紹：
---產品耐擦寫次數大于10^7次
---強大的抗輻射性能
---25℃條件下數據保存時間可達100年
---工作溫度-40℃—+85℃
---2kV ESD防靜電保護能力
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